SiC與IGBT爭鋒頭 比亞迪半導體獨立兩邊吃
- 黃女瑛／台北
碳化矽(SiC)隨著電動車、5G等新應用世代的崛起，將取代部分絕緣柵雙極電晶體(IGBT)未來發展市場，雖說新應用市場逐步擴大，彼此間各有立足空間，但仍是有短兵相接之處，業者指出，這也是市場認為比亞迪半導體成立的動力之一，透過上市吸引策略夥伴，擴大應用領域，...
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