美光與Intel宣布3D XPoint共同開發計畫新進展
- 李佳玲／台北
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美光科技公司(NASDAQ股票代碼：MU)和Intel日前宣布了他們在3D XPoint合作開發計畫的最新進展，推出一個比NAND記憶體具備更低延遲時間且耐用性大幅增加的全新非揮發性記憶體。
兩家公司已同意第二代3D XPoint技術開發的共同合作，預計將於2019上半年完成。第二代3D XPoint技術之後更先進的技術開發將由兩家公司各自進行，以發展出最佳的技術，應因自家產品和業務的需求。
兩家公司將在猶他州李海(Lehi)的Intel-Micron Flash Technologies廠(簡稱IMFT)繼續以3D XPoint技術製造相關記憶體產品。
美光技術開發執行副總裁Scott DeBoer表示，「美光在記憶體發展上擁有40年的研發創新專業地位，美光將繼續推動發展下一代3D XPoint技術，這技術將有助於客戶享有獨特的記憶體和儲存性能優勢。透過獨立開發3D XPoint技術，美光得以為自家的產品規劃藍圖，開發出更優異的技術，並兼顧客戶和股東的最大利益。」
Intel非揮發性記憶體解決方案事業群資深副總裁暨總經理Rob Crooke表示，「由於客戶提供顧客和資料中心市場的支援，Intel已推出廣泛的Optane產品組合，並取得領導性的地位。Intel Optane與全球最先進運算平台的直接連結在IT和消費應用方面已有突破性的成果。Intel計劃延續這個發展動能，結合高密度3D NAND技術，擴大在Optane的領先地位，為現今的運算和儲存需求提供最佳解決方案。」
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