宜普公司推100 V氮化鎵場效應電晶體

宜普公司推出100 V氮化鎵場效應電晶體。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體，其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A以支援高效功率轉換。

要求更高效及更高功率密度的應用，EPC2051可以同時實現小尺寸及高性能。EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(即1.1平方毫米)。EPC2051佔板面積小，它工作在50 V–12 V降壓轉換器、500 kHz開關及4 A輸出電流時可實現97%功效。此外，低成本的EPC2051與等效矽MOSFET的成本可比。受惠於EPC2051的高性能、小尺寸及低成本優勢的應用包括面向運算及通信系統、雷射雷達、LED照明及D類音頻放大器等應用的48 V輸入電壓的功率轉換器。

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow說，氮化鎵(eGaN)元件工作在高頻下可以實現高效率，在性能及成本方面得以擴大與等效矽基元件的績效差距。此外，100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體比等效MOSFET小型化30倍。

EPC9091開發板的元件的最大電壓為100 V、半橋式、採用EPC2051電晶體及uPI半導體公司的閘極驅動器(uPI1966A)。開發板的尺寸為2英吋乘2英吋(50.8毫米乘50.8毫米)，專為最高開關性能而設，而且包含所有重要元件，使得工程師可以易於對100 V的EPC2051 eGaN FET進行評估。