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英飛凌推出TO-247封裝版本

  • 魏于寧

繼推出EconoDUAL和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之後,英飛凌近日再推出領先業界,基於分立式封裝,崩潰電壓為650 V的TO-247封裝版本。

最新的TRENCHSTOP系列產品組合包含 20 A、30 A、40 A、50 A和75 A等級的額定電流,既可用於取代前代技術,也能與前代技術並行使用。該版本的IGBT7尤其適用於工業馬達驅動、功率因數校正、太陽能光電和不斷電系統等應用。

由於採用新型圍溝槽技術,TRENCHSTOP IGBT7晶片的靜態損耗大幅降低。在相同的電流等級下,TRENCHSTOP IGBT7的導通電壓可降低10%。IGBT T7技術具有非常低的飽和電壓(VCE(sat)),並與第 7 代射極控制二極體(EC7)共同封裝,正向電壓(VF)可降低150 mV,同時還能提高反向恢復柔性。

由於採用新型圍溝槽技術,TRENCHSTOP IGBT7晶片的靜態損耗大幅降低。在相同的電流等級下,TRENCHSTOP IGBT7的導通電壓可降低10%。這使應用的損耗大幅降低,尤其是通常在中等開關頻率下運作的工業驅動應用等。IGBT T7技術具有非常低的飽和電壓 (VCE(sat)),並與第7代射極控制二極體(EC7)共同封裝,正向電壓(VF)可降低150 mV,同時還能提高反向恢復柔性。

本裝置具有優異的可控性和卓越的EMI效能,能針對應用輕鬆調整,以提供最佳的dv/dt和切換耗損的最佳比率。650V TRENCHSTOP IGBT7能為應用提供所需的抗短路能力。此外,裝置已通過JEDEC標準的HV-H3TRB(高壓、高濕及高溫的反向偏壓)測試,證明該裝置在常見工業應用的高濕度環境中具有良好的耐用性。