意法半導體推出MasterGaN參考設計並展示250W無散熱器諧振轉換器

意法半導體推出MasterGaN參考設計並展示250W無散熱器諧振轉換器。意法半導體

意法半導體(STMicroelectronics；ST；紐約證券交易所代碼：STM)新推出MasterGaN首個參考設計，並展示了新款高整合度元件如何提升功率密度、效能，簡化產品設計，縮短上市時間。EVLMG1-250WLLC 參考設計是一個250W諧振轉換器，電路板尺寸為100mmx60mm，最高元件高度是35mm。

功率晶片整合了一個STDRIVE半橋閘極驅動器以及兩顆650V常關GaN電晶體的MasterGaN1。其具有配對的時序參數，導通電阻(Rds(on))150mΩ，最大額定電流10A，邏輯輸入相容3.3V至15V訊號。

MasterGaN1適用於最高400W的交流對直流電源、直流對直流轉換器和直流對交流逆變器應用中的高效軟開關拓撲，包括諧振轉換器、有源鉗位反激或正激轉換器，以及無橋圖騰柱功率因數校正(Power-Factor Correction；PFC)。利用GaN功率電晶體的高效能，參考設計一次側採用無散熱器設計。

此外，GaN電晶體的開關效能出色，工作頻率高於普通矽基MOSFET解決方案，因此可以使用較小的電磁元件和電容，實現更高的功率密度和更低的物料清單成本。

EVLMG1-250WLLC是一個標準400V輸入的電源參考設計，提供一個24V/10A輸出埠，最高效能超過94%。受益於MasterGaN內部整合的安全功能，轉換器輸出有短路和過流保護功能。

還具備欠壓保護和輸入電壓監測功能，電壓檢測功能可在多個直流對直流轉換器中實現上電排序，防止馬達低壓起動。意法半導體的MasterGaN系列產品由腳位相容的整合半橋產品所組成，包括對稱和非對稱配置，其採用9mmx9mm的薄型GQFN封裝。

封裝內部電路額定電壓最高650V，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。MasterGaN模組適用於各種額定功率，工程師只需略做硬體修改，即可擴充升級系統設計。EVLMG1-250WLLC現在已經上市。更多資訊，請造訪官網。