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ROHM內建SiC二極體IGBT損耗比傳統產品減少67%

  • 陳毅斌台北

ROHM推出內建SiC二極體IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」損耗比傳統IGBT產品減少67%有助降低車電和工控裝置功耗。ROHM

半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」。

該產品適用於電動車(xEV)充電器和DC/DC轉換器,以及太陽能發電用的功率穩壓器等,處理大功率的車電裝置和工控裝置。近年來,在全球「無碳社會」和「碳中和」等環保風潮中,電動車(xEV)得以日益普及。

為了進一步提高系統效率,各種車電裝置的逆變器,以及轉換器電路中使用的功率半導體等,也出現了多樣化需求,超低損耗的SiC功率元件(SiC MOSFET、SiC SBD等),和傳統的Si功率元件(IGBT、SJ-MOSFET等)也都正持續大幅度的技術革新。

ROHM致力於為廣泛應用提供有效的電源解決方案,不僅專注於領先業界的SiC功率元件,更積極研發Si功率元件和驅動IC的技術及產品。

本次就開發出了能為車電、工控裝置提供更高CP值的Hybrid IGBT。「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT產品,在IGBT的回流單元(飛輪二極體)中採用了ROHM的低損耗SiC蕭特基二極體(SiC SBD),成功降低了傳統IGBT產品導通時的切換損耗(以下稱「導通損耗」)。

本產品使用在車電充電器時,與傳統IGBT產品相比,損耗可降低67%,與SJ-MOSFET相比,損耗可降低24%,有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。新產品已於2021年3月開始出售樣品,預計將於2021年12月起暫以每月2萬個的規模投入量產。

另外,ROHM官網上還免費提供評估本系列產品時所需的豐富設計資料,包括驅動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等,各類型的支援以利產品快速導入市場。

損耗比傳統IGBT產品降低67%  提供車電和工控裝置更高的CP值並符合AEC-Q101標準  可在惡劣環境下使用

「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT,該IGBT的回流單元(飛輪二極體)中採用了ROHM的低損耗SiC SBD。與傳統使用Si快速恢復二極體(Si-FRD)的IGBT產品相比,可大幅降低導通損耗,例如在車電充電器應用中的損耗,比起傳統IGBT產品可降低67%。與通常損耗小於IGBT的SJ-MOSFET相比,損耗也可降低24%。

在轉換效率方面,新產品可以在更廣的工作頻率範圍中確保97%以上的高效率,並且在100kHz的工作頻率下,效率比IGBT提高3%,有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。新產品符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」,即使在較嚴苛的環境下也可以安心使用。