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英特爾和ASML強化合作關係 驅動High-NA高數值孔徑

  • 陳其璐台北

英特爾和ASML強化合作關係,驅動High-NA高數值孔徑於2025年進入生產階段。英特爾
英特爾和ASML強化合作關係,驅動High-NA高數值孔徑於2025年進入生產階段。英特爾

為推進尖端半導體微影技術發展,ASML和英特爾公司宣布,其長遠合作的最新階段發展。作為雙方公司長遠高數值孔徑合作案的架構內容,英特爾已向ASML下訂業界首台TWINSCAN EXE:5200 系統的訂單;這是款具備High-NA的極紫外光(EUV)大量生產系統,每小時具備200片以上晶圓產能。

Martin van den Brink,ASML總裁暨技術長表示,「英特爾的遠見和對ASML High-NA EUV的早期承諾,為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV系統,我們持續創新拓展EUV路線圖,進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量,提供驅動晶片產業下個10年所需要的良好經濟規模延展性。」

英特爾於2021年7月Accelarated活動中宣布,其部署首款High-NA技術的計畫,藉以確立電晶體創新路線圖發展。英特爾早在2018年即是之前TWINSCAN EXE:5000系統的首位買家,透過今日所宣布的新訂購案,其合作關係將隨著英特爾於2025年開始以高數值孔徑EUV進行生產製造而延續下去。

Ann Kelleher博士,英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理表示,「英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位,2021年我們持續不斷地打造我們的EUV專業知識和能力。透過與ASML的密切合作,我們將汲取High-NA EUV的高階析度圖案化優勢,作為延續摩爾定律的其中一個方式,並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。」

EXE平台為EUV技術的演化步驟,其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和EXE:5200系統與之前EUV機器所具備的0.33數值孔徑鏡片相比,提供精確度提升的0.55數值孔徑,為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長,決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA為2025年開始的多個未來節點所設計,同時也是業界首次部署該技術,隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在2021年的投資者關係日,ASML分享其EUV路線圖規劃,並表示High-NA技術有望自2025開始支援生產製造。故聲明與此路線圖規劃一致。