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新思科技針對台積電N6RF製程推出最新的RF設計流程

  • 吳冠儀台北

為因應日益複雜的RFIC設計要求,新思科技(Synopsys)宣布針對台積電N6RF製程推出最新的RF設計流程,此乃新思科技與安矽斯科技(Ansys)和是德科技(Keysight)共同開發的最先進RF CMOS技術,可大幅提升效能與功耗效率。該流程可協助其共同客戶實現5G晶片的功耗與效能優化,同時加速設計效率,從而加快產品的上市時程。

台積電設計建構管理處副總經理Suk Lee表示,與新思科技近期的合作著重於新一代無線系統的挑戰,讓設計人員能夠為越來越互聯的世界提供更好的連接、更高的頻寬、更低的延遲(latency)以及更廣的覆蓋範圍(coverage)。有了來自新思科技、安矽斯科技與是德科技緊密整合的高品質解決方案,台積電全新的針對N6RF製程的設計參考流程提供了一個現代且開放的方法,能提升複雜IC開發的生產效率。

由於互聯世界的需求,用於收發器(transceiver)和RF前端元件(front-end component)等無線資料傳輸系統的RFIC 變得日趨複雜。這些新一代無線系統有望在更多連接的裝置上提供更高的頻寬、更低的延遲以及更廣的覆蓋範圍。為了確保RFIC能夠滿足這些要求,設計人員必須準確地衡量RF的效能、頻譜、波長和頻寬等參數。

新的RF設計參考流程採用領先業界的電路模擬、佈局生產效率以及精確的電磁 (EM)建模和電子遷移/IR壓降分析,可縮短設計周轉時間(turnaround time)。該流程包括了新思科技的Custom Compiler設計和布局產品、PrimeSim電路模擬產品、StarRC寄生萃取簽核產品與IC Validator物理驗證產品,以及安矽斯科技的VeloceRF電感元件與傳輸線合成產品、先進的奈米電磁(EM)分析產品RaptorX和RaptorH,以及Totem-SC,此外還有是德科技用於EM模擬的PathWave RFPro。

新思科技工程副總裁Aveek Sarkar說道,為了實現 5G 設計的關鍵差異化優勢,新思科技持續帶來強大的RF設計解決方案,其整合了電磁合成、萃取、設計、佈局、簽核技術和模擬工作流程。由於我們與台積電的深入合作,加上與安矽斯科技和是德科技的堅實關係,因此客戶得以使用新思客製化設計系列的先進功能,運用台積電針對5G應用的先進N6RF技術,提高生產力並實現矽晶成功。

是德科技副總裁暨PathWave軟體解決方案總經理Niels Fache表示,RF設計的客戶可受惠於台積電參考流程中新思Custom Compiler與是德PathWave RFPro的交互操作性。在設計過程中將電磁共同模擬(co-simulation)向左遷移,可讓RF電路設計人員針對5G和WiFi 6/6E應用的先進晶片和多技術模組中的寄生效應(parasitic effects)進行優化。如此一來在模擬工作流程的環節上可省下數天甚至數周的時間,同時降低產品開發週期中重新投片(re-spin)的高昂風險。我們與新思科技和台積公司的合作提供RF客戶所需的設計工具和先進的製程技術,能確保高效能並一次完成矽晶設計(first-pass success)。」

安矽斯科技研發部副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示,安矽斯科技很高興能與新思科技和台積電合作,一同開發用於RFIC設計的先進參考流程。5G和6G設計的需求成長帶動了晶片的高度複雜性,伴隨奈米節點的先進製程效果,使RFIC設計人員面臨著巨大的挑戰。在EM和EMIR分析中精準地進行先進製程效果的建模對於建立一次完成矽晶設計(從DC至數十GHz運作範圍)非常重要。安矽斯的VeloceRF、RaptorX、Exalto和Totem-SC等工具可與新思的Custom Complier平台無縫運作,能夠處理最具挑戰性的設計,並能針對所有先進製程效果進行建模。這些工具能為RF設計模塊的設計、優化和驗證提供直觀且易於使用的流程。