Flash Memory切中行動裝置輕薄省電需求
- DIGITIMES企劃
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Flash Memory在行動裝置平台開發上，近年已經成為重點器件與開發項目，尤其是由iPhone、iPad帶起的採行8~64GB水準高內置Flash Memory的應用型態，也連帶影響了非Apple陣營產品規劃設計的思考方向，也同樣採行內建高容量Flash Memory設計邏輯，來因應競爭產品的市場競爭。
Flash Memory的製成品，可以是整機型態的SSD，也可以是行動裝置的內置儲存裝置，尤其在行動電話、平板電腦開始採行大量的裝載量，來滿足用戶需要更多儲存照片、影片、音樂的需求。即便Flash Memory早期單價較高於傳統硬碟，但在用量持續提高、製程微縮與良率提升的推波助瀾下，將Flash Memory的單位容量價格持續壓縮。
而Flash Memory的成本，也因為容量持續提升，讓Flash Memory的容量轉換下來的成本不斷攀高，Flash Memory的裝載成本已經超越核心處理晶片、電池甚至是機構件，成為左右產品價格的重要關鍵項目。
觀察iPad這類平板電腦，目前主流的裝載容量為32GB，而產品最高的Flash Memory容量可達64GB之多，已經相當於一般入門SSD的容量，但其裝載在行動裝置中所能發揮的效益，幾乎可以讓行動裝置達到接近筆記型電腦的運用彈性。
再來看看Flash Memory的元件特點，Flash Memory是一種儲存介質，在儲存資料的形式方面有個關鍵的特性，即可在無電力供應的條件下保存資料。這種特性更適合建構無需外部電力持續刷新儲存資料即能進行資料的長期保存，目前已經大量使用在筆記型電腦、導航PND、數位相機記憶卡、電子字典...等產品；而無需刷新即能長時間保存資料的特性，更迎合了行動裝置必須考量節能、減低功耗的設計目標。
Flash Memory為了便於讓嵌入式系統或作業系統管理，也是模擬成傳統硬碟的磁區概念規劃內部儲存空間，但畢竟這只是為了無痛轉移以HDD換用SSD或 Flash Memory的系統變更，實際上Flash Memory雖模仿了HDD，本質上卻有天壤之別。首先，Flash Memory(NAND)的每GB單位成本仍高於HDD，即便目前25nm製程在成本上持續壓縮，但實際於終端器件的成本仍不敵HDD的低成本。
Flash Memory與硬碟仍存在許多物理特性的差異，例如：Flash Memory無機械結構，因此不會有運轉噪音，同時也不會因為磁碟碟盤高速旋轉造成空氣摩擦所生成的高溫；因為少了讀取臂、伺服電路，Flash Memory的設置高度極低，可以視為極為平整的料件組立，但傳統硬盤就必須有伺服器、讀取臂、碟盤等物理材料，造成機構高度空間的限制。
另外，Flash Memory採電子電路讀寫資料，因此只要碰撞震動不會讓Flash Memory顆粒出現錫裂，基本上根本不會出現資料流失，除非IC元件產生的問題，否則，理論上存儲的資料不會這麼容易流失，相對的硬碟就顯得脆弱許多。
另外，Flash Memory本質上即為記憶體晶片，可以視需求組立成各式外型與設計，例如，NAND Flash Memory就可以製程SSD、MMC、SD等產品，但硬碟相對用途與製作品就顯得較有限許多。
在3C產品——例如Ultrabook、TabletPC、iPad...等——持續朝極度輕、極度薄的設計方向，這些3C產品勢必需裝載大量的Flash Memory，Flash Memory的需求還會持續攀升，尤其Flash Memory的穩定性與效能明顯優於HDD，甚至連桌上型電腦的儲存需求，都預期能再創一波SSD(Flash Memory)的需求高峰。
