安森美碳化矽二極體更高能效功率密度與更低成本

推動高能效創新的安森美半導體推出最新650V碳化矽(SiC)肖特基二極體(Schottky diode)系列產品，擴展SiC二極體產品組合。這些二極體的先進碳化矽技術提供更高的開關效能、更低的功率損耗，並輕鬆實現元件並聯。

安森美半導體最新發布的650 V SiC 二極體系列提供6安培(A)到50安培(A)的表面黏著(surface mount)和穿孔封裝。所有二極體均提供零反向恢復(reverse recovery)、低正向壓(forward voltage)、不受溫度影響的電流穩定性、高浪湧(surge)容量和正溫度係數(temperature coefficient)。

工程師在設計用於太陽能光伏(solar PV)反相器(inverter)、電動車／油電混合動力車(EV/HEV)充電器、電信電源和資料中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。全新的二極體能為工程師解決這些挑戰。

這些650 V元件提供的系統優勢包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓(VF)及SiC二極體的無反向恢復電荷能減少功率損耗，因此提高能效。SiC二極體更快的恢復速度使開關速度更高，因此能夠縮減磁性元件和其他被動元件(passive component)的尺寸，實現更高的功率密度與更小的整體電路設計。此外，SiC二極體能承受更高的浪湧電流，並在 -55°至 +175°C的工作溫度範圍內提供穩定性。

安森美半導體的SiC肖特基二極體具有獨特的專利終端結構，加強可靠性並提升穩定性和耐用性。此外，二極體提供更高的雪崩能量(avalanche energy)、業界最高的非箝制電感性開關(unclamped inductive switching；UIS)能力和最低的漏電流(leakage current)。

安森美半導體MOSFET業務部資深副總裁暨總經理Simon Keeton表示：「安森美半導體新推出的650 V SiC二極體系列與公司現有的1200 V SiC元件相輔相成，為客戶帶來更廣泛的產品。SiC技術利用寬能帶隙(wide band gap)材料的獨特特性，比矽更實惠，其穩健的結構為嚴苛環境中的應用提供可靠的解決方案。我們的客戶將受益於這些簡化、效能更佳、尺寸設計更小的新元件。」