AOS推出最新650V H2系列IGBT

650V H2系列IGBT開通性能

Alpha and Omega Semiconductor(AOS) (Nasdaq: AOSL)，是集開發設計與生產製造於一體的全球半導體供應商，擁有MOSFET，PIC，IGBT，IPM，TVS等多條產品線，為各種系統應用提供完整功率解決方案。

最近正式推出高速開關器件(IGBT) AOK60B65H2AL。為獲得較低的開關損耗，AOK60B65H2AL專注於開關性能的設計，具有較快的關斷速度和較小的拖尾電流，適合於變頻焊機，功率因素校正(PFC)及各種高頻逆變器應用。

AOK60B65H2AL採用最新的AlphaIGBT技術，這種技術集合了傳統平面結構和溝槽結構的優點，使器件同時具有較低的導通壓降，較快的開關速度和強壯的可靠性。650V最小耐壓設計可以滿足大部分的應用設計需求，為設計留下足夠的耐壓裕量，從而提高了系統的可靠性。

該系列器件具有較好的di/dt 和 dv/dt控制能力，如圖1所示，通過控制驅動電路即可在不顯著增加開關損耗的情況下滿足EMI的需求。

IGBT已被廣泛地應用於各種高頻逆變應用，由於對系統效率，可靠性及成本等各方面的考量，選擇一顆合適的IGBT已變得非常重要，AOK60B65H2AL的推出，為系統開發者提供了更多的靈活性。

650V H2-系列主要特點

高速的開關性能、易控的di/dt 和dv/dt 能力，方便EMI設計。

AOK60B650H2AL 技術指標

V_CE = 650V、I_C = 60A、V_CE(SAT) = 1.95V @T_J = 25°C、E_OFF = 1.17mJ @T_J = 25°C、t_D(OFF) = 168ns, t_F = 76ns @T_J = 25°C、T_J(max) = 150°C