宜普公司宣佈車用氮化鎵元件通過認證

車規級eGaN FET使得光達系統看到更清晰、更高效，降低48 V車用功率系統的成本。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布兩個車用氮化鎵(eGaN)元件成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其他嚴峻環境支持多種全新應用。EPC2206及EPC2212是採用晶圓級晶片規模封裝(WLCS) 、分別是80 VDS 和100 VDS的離散電晶體。

基於氮化鎵(eGaN)技術的產品已進行量產超過8年，累計了數十億小時的實際汽車應用經驗，包括全自動駕駛汽車的光達及雷達系統、應用於資料中心電腦的48 V–12 V DC/DC轉換器、具有超高保真度的資訊娛樂系統及高強度的貨車頭燈等應用。這些全新元件已經通過嚴格的AEC Q101測試認證，隨後會推出更多面向嚴峻的車用環境的離散電晶體及IC。

EPC2206為80 V、2.2 mΩ增強型氮化鎵場效應電晶體，採用6.1毫米x 2.3毫米晶片級封裝，脈衝電流為390 A。EPC2212為100 V、13.5 mΩ元件，採用2.1毫米x 1.6毫米晶片級封裝，脈衝電流為75 A。與等效MOSFET相比，這些氮化鎵場效應電晶體的尺寸小很多，而且可實現的開關速度快10至100倍。

目前採用48 V匯流排配電系統的新型汽車，由於配備了非常耗電的電動元件的功能和特性，例如電動啟停、電動轉向、電動懸掛系統和變速空調，因此EPC2206是理想的功率管理元件。此外，新興的全自動駕駛汽車、額外的系統需求例如光達、雷達、相機和超音波感測器，都增加對配電系統的整體需求，從而使汽車需要轉用48 V匯流排系統。而氮化鎵元件，例如EPC2206，可以使得48 V匯流排系統的效率更高，尺寸更小、更輕型及成本更低。

EPC2212非常適合在光達(LiDAR)系統發射雷射，因為FET觸發雷射信號、產生大電流、極短脈寬，從而實現更高的解析度，而更大脈衝電流使得光達系統可以看到更遠的景物。這兩個特性，加上小尺寸及低成本，使得eGaN FET除了支援嚴峻的車用光達系統外，也是雷達及超音波感測器的理想元件。

EPC公司的CEO及共同創辦人Alex Lidow表示，緊隨這兩個通過認證的車規級氮化鎵元件，將推出車用電晶體及IC，以打造自動駕駛汽車的未來、節省汽油的使用量及提高駕駛的安全性。與目前車用、日益老化的矽基功率MOSFET相比，基於eGaN技術的產品的開關更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。