意法超接面MOSFET提高電橋式和ZVS轉換器性能

意法半導體快速恢復的超接面MOSFET，為電橋式和ZVS轉換器帶來卓越性能。

意法半導體(ST)推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具備一個快速恢復二極體，將最新超接面(Super-Junction)技術的效能優勢導入全橋和半橋拓樸、零電壓切換(Zero-Voltage Switching；ZVS)相移轉換器等的拓樸結構裡通常需要一個穩定可靠的二極體來處理動態dV/dt的應用。

MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間(trr)，最大限度地降低續流後關斷期間二極體的耗散功率。優化的軟性恢復增加了產品的可靠性。此外，極低的閘極電荷(Qg)和導通電阻(R_DS(ON))以及針對輕負載優化的電容曲線，使應用能夠帶來更高的工作頻率和效能，並簡化散熱管理設計和降低EMI干擾。這些新元件適用於電動車的充電樁、電信設備或資料中心電源轉換器，以及太陽能逆變器等，更穩定的效能和更高的功率密度讓應用設計的電力額定參數更加優異。

MDmesh DM6家族屬於STPOWER產品組合，全系列共有23款產品，額定輸出電流範圍自15A至72A，閘極電荷(Qg) 20nC至117nC，R_DS(ON)電阻為0.240 Ω至0.036 Ω，採用主流的功率封裝，包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin腳位，適合有精密電流偵測需求的應用。MDmesh DM6系列現已量產。更多產品資訊，請造訪官網。