如何強化5奈米晶圓良率 從缺陷分析下手

根據新聞報導，預期2020年三星、台積電將要進入5奈米製程量產，競爭將會十分激烈，一個嶄新的晶圓缺陷分析平台，它結合了智慧型缺陷篩選取樣暨缺陷尺寸計量等兩大關鍵技術，能夠在5奈米製程中高效率地檢出各類超細微的良率損失缺陷，並強化5奈米晶圓良率。

可想而知，發掘5奈米製程失效缺陷的難度遠高於12奈米製程，在下一個世代5奈米製程的競爭，線上晶圓缺陷的檢驗技術需要更進化，晶圓良率改善會通過，缺陷檢測、缺陷分析平台選取缺陷、被選取缺陷作電子顯微鏡照相與調查缺陷成因這幾個步驟，其中缺陷分析平台決定了發掘失效缺陷的成效，若能夠在缺陷分析平台選取缺陷成功發掘失效缺陷，工程師便能依據失效缺陷樣本，去調查缺陷成因，進而提升良率。簡言之，失效缺陷直接衝擊良率高低。所以，若要贏得5奈米競爭，線上晶圓缺陷的檢出技術非得高人一等不可。

半導體廠在先進製程中一直遭遇發掘失效缺陷的大難題，敖翔科技公司的專利發明技術「智慧型缺陷篩選及取樣方法」，可以將線上可疑缺陷準確疊加至對應的IC設計繪圖上，並執行臨界面積分析(Critical Area Analysis)來區分非致命缺陷與致命缺陷，如檢視晶圓製程中敷塗在晶圓後，接續的曝光、顯影等步驟。該發明的技術突破在於能夠準確區分缺陷並過濾非致命缺陷。憑藉著「精準過濾愈多的非致命缺陷，發掘失效缺陷的數量就愈多」的基本信念，成就了敖翔科技公司獨步全球的專利發明技術。

為了迎接日益精微的5奈米及3奈米製程，敖翔科技多年前已完成了缺陷尺寸計量技術的開發與專利布局，搭配原有的智慧型缺陷篩選技術，共構成ESI OpenShort Platform，該新平台徹底排除了因缺陷尺寸相對不確定度稍大所遺留的誤判風險，不但大幅增進了線上工程師補獲致命缺陷的能力，也為晶圓良率的推升注入了更大的信心與動能。

無疑地，精準的智慧型線上缺陷分析平台已是先進半導體製程的必選配備。位於工研院開放實驗室的冠亞智財公司，在歷經數個月的專利檢索暨分析之後鄭重地表示：敖翔科技公司擁有的美、中、台專利發明技術「智慧型缺陷篩選及取樣方法(US8312401、CN 1614876、ROC I402928)」，堪稱是全球人工智慧缺陷分析的鼻祖，且該公司獨創的智慧型線上缺陷分析平台ESI OpenShort Platform，在日益先進的製程中更加凸顯其重要性，亦將成為備受業界矚目的良率製造機。更多詳情請洽敖翔科技股份有限公司。