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宜普推出高準確雷射雷達應用氮化鎵電晶體

  • 吳冠儀/台北

宜普公司宣布15 V的EPC2216成功通過AEC Q101認證,專為需要高準確性的光達應用而設計,例如全自動駕駛汽車,以及其他的飛行時間(ToF)應用,包括人面識別、自動化倉庫、無人機及製作地圖。

氮化鎵場效應電晶體EPC2216是15 V、26 mΩ、28 A脈衝電流、1.02 mm2佔板面積的元件,非常適合在光達系統發射雷射,因為它可以產生大電流、極短脈寬。短脈寬可實現更高解析度,而小尺寸及低成本使得氮化鎵場效應電晶體是ToF應用的理想元件,其應用範圍廣闊,包括車用、工業、醫療保健。

要完成AEC Q101測試,宜普公司的氮化鎵場效應電晶體通過了在嚴峻環境下及偏壓測試,包括高濕反向偏壓測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫閘極偏壓(HTGB)、溫度迴圈(TC)及其它多個測試。此外,宜普公司的WLCS封裝符合用來測試採用傳統封裝的元件的所有測試標準,展示出採用高效能晶片級封裝的氮化鎵電晶體不會影響其穩固性或高可靠性。這些氮化鎵(eGaN)元件在取得汽車品質管制系統標準IATF 16949認證的設施內生產。

宜普公司的執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示,這個車用元件是EPC的電晶體及積體電路系列的全新產品之一,專為全自動駕駛汽車而設計,可提高解析度及降低所有ToF應用的成本。