意法半導體收購氮化鎵創新企業Exagan之多數股權

意法半導體(ST)已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的購併協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規劃，意法半導體則將為其部署產品提供支援。

意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示，「意法半導體的碳化矽發展布局具備強大的動能，現在我們正擴大對另一種前景看好之複合材料－氮化鎵的投入，以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權可強化公司在全球功率半導體市場的領先地位，同時也是我們對於GaN長遠規劃、生態系統和業務向前邁出的另一步。這是目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發專案，還有近期宣布與台積電合作專案的另個成果。」

氮化鎵(GaN)屬於寬帶隙(Ｗide Bandgap，WBG)材料家族，其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步，其效能和功率密度優於矽基電晶體， GaN基板元件節能省電、縮減系統大小。GaN元件適合各種應用，例如，伺服器、電信和工業用功率因數校正和DC/DC轉換器；電動汽車車載充電器和車規DC-DC轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。

前瞻性陳述風險警示

1995年私人證券訴訟改革法案安全港聲明：上文所述的任何非歷史事實陳述均為前瞻性陳述，包括有關我們未來經營業績和財務狀況、商業策略、未來經營計畫和目標之任何陳述，涉及可能導致實際結果與前瞻性陳述之間出現重大差異的風險和不確定性因素。這些陳述僅為預測，其反映了當前對未來事件的看法和預測，且以假設為前提，受風險和不確定性因素的影響，隨時可能發生變化。

潛在風險和不確定性因素包括但不限於以下因素：交易未完成的可能性，包括任何先決條件所導致的交易失敗；可能無法完成收購預期收益的風險；收購後難以挽留Exagan員工；設施擴建、製程和專業知識移轉困難；迫使管理階層無法管理企業的風險；以及我們不時在送交給美國證交所之文檔中詳細說明與我們的產業和業務相關的競爭影響，還有其他風險因素。