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東芝推出80V N溝道功率MOSFET

  • 吳冠儀/台北

東芝推出80V N溝道功率MOSFET採用最新一代製程,可提高電源效率。

東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。新產品為兩款封裝,一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM。

由於採用了最新一代製程技術,比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比,新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構,漏源導通電阻與閘極電荷特性之間的平衡也得到了改善。