華邦電子推出更能彈性使用的Sequential Read

Sequential read擁有高度彈性化。

全球半導體儲存解決方案領導廠商華邦電子宣布在QspiNAND Flash系列產品中推出更具彈性的全新高速讀取功能Sequential Read，持續堅守其在快閃記憶體領域中不斷追求創新的理念。

越來越多汽車及IoT裝置製造商採用SLC NAND Flash做為其取代傳統NOR Flash在512Mb或更高容量的低成本替代解決方案。華邦先前已在High Performance Quad SPI-NAND Flash介面上有突破性創新，其Continuous Read在104MHhz時脈頻率下，傳輸速度可達每秒52MB，且與Quad SPI-NOR一樣有低腳位數的優點。

華邦於High Performance NAND Flash上再創佳績，在其最新高效能W25NxxxJW QspiNAND Flash上推出 Sequential Read 新功能。不僅維持QspiNAND Flash 在104MHz下每秒52MB的資料傳輸速度，且增加了許多在使用上的彈性。

其中，最重要的新增項目包括：可自由應用使用者自有的ECC引擎。在 Continuous Read 中，華邦 W25N系列僅支援本身晶片內建的1位元 ECC引擎。並且在Sequential Read中，使用者可選擇使用4位元、8位元或任何位元的ECC錯誤修正；並能以單一讀取指令存取整個記憶體陣列，包括主區(Main Area)及備用區(Spare Area)。這適合編碼映射(Code shadowing)應用使用，因為低延遲及快速啟動時間對這類應用特別重要；並且有更大的彈性可設定資料、糾錯碼、檔案系統資訊配置，以配合使用者的應用場景。

華邦電子美國分公司快閃記憶體事業群行銷部門總監Syed S. Hussain表示，華邦提供高速作業及Continuous Read功能，讓QspiNAND Flash成為編碼儲存(code storage) 應用的絕佳選項。現在加入Sequential Read後，使用者不但仍享有同樣的每秒52MB高速讀取，同時也能實作自己選擇的ECC引擎及資料存取配置。

華邦1.8V QspiNAND Flash中的512Mb、1Gb及2Gb；3V QspiNAND Flash的2Gb及4Gb，都有導入最新的Sequential Read功能。再者，所有QspiNAND Flash均於公司位在台灣台中市的12吋晶圓廠製造。為了滿足汽車及 IoT 市場需求，華邦也持續擴展產能。

新款 W25N QspiNAND Flash 採用體積精巧的8針腳封裝；在華邦開發出高效的QspiNAND Flash介面之前，SLC NAND Flash無法提供這種節省空間的型態。104MHz的時脈速度，可在使用快速讀取Quad I/O指令時，達到相當於416MHz(104MHz x 4)速度的Quad I/O效能。華邦 W25N系列NAND Flash的主要特色如下：

1.涵蓋不同使用場境的工作溫度：-40°C至+85°C作業範圍 (工規級)、-40°C~+105°C作業範圍 (工規進階級與車規級)。
2.獨特的記憶體架構啟用：ECC 時的頁面讀取時間：60μs、頁面編程時間：250μs (標準值)、區塊抹除時間：2ms (標準值)、快速編程／抹除的效能、支援OTP記憶體區域。
3.高效能高可靠性的QspiNAND FlashQSPI實作採用 46nm 製程技術、資料保持 10 年以上、支援最高每秒 52MB 的資料傳輸率。
4.節省空間的封裝WSON8 6x8mm、WSON8 5x6mm、TFBGA24 6x8mm、KGD (良裸晶粒)。

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