宜普公司新推出兩款200 V eGaN FET

宜普電源轉換公司(EPC)新推出的兩款200 V eGaN FET-EPC2215、EPC2207，效能更高而同時成本更低，目前已有供貨。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊，包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)，以及多電平高壓轉換器。

EPC2215和EPC2207的尺寸比前代200 V eGaN元件大約縮小50%，而效能卻倍增。 與基準矽元件相比，這兩款氮化鎵元件的效能更高。EPC2215的導通阻抗降低了33%，但尺寸卻縮小了15倍。 其閘極電荷較基準矽MOSFET元件小十倍，並且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷，從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真，以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。

EPC執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示，最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內，實現更高的效能，而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。