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ASMPT探索新一代寬頻隙(WBG)半導體設備

  • 周建勳台北

ASM 先進太平洋的功率半導體器件解決方案。
ASM 先進太平洋的功率半導體器件解決方案。

在日常生活中,(Power Semiconductor)如智慧型手機,家用電器、醫療保健設備、電腦、網路、資料中心、汽車、高鐵等產品中,都扮演著非常重要的角色。過往會以Si、GaAs、InP和其他物料用作第一代和第二代的半導體生產,隨著科技發展漸趨成熟,這技術已經廣泛應用於不同器件中,例如Si MOSFET、IGBT、功率放大器和RF應用等等。可是,每種技術都會有其侷限性。具有寬頻隙(Wide-Band Gap ; WBG)特性的物料,包括SiC和GaN,則比上代更上一層,提供了以下額外的性能:

1.更高的電流密度;2.較寬的工作溫度範圍;3.更快的切換性能;4.較低的導通電阻(RdsON);5.在高頻運行時更少的開關損耗。由於WBG的特性比以往半導體物料優勝,在不久的將來,SiC和GaN將會比Si更受歡迎,成為新一代的功率半導體的物料。

碳化矽 - Silicon Carbide、氮化鎵 - Gallium Nitride說明。

碳化矽 - Silicon Carbide、氮化鎵 - Gallium Nitride說明。

ASM 先進太平洋有限公司半導體解決方案市場部副總裁許志偉先生。

ASM 先進太平洋有限公司半導體解決方案市場部副總裁許志偉先生。

然而,新物料的介入對WBG器件組裝有著不同的要求,令製造商需要面臨各種挑戰︰
1. 晶圓切割製程:刀片VS雷射切割
2. 固晶製程:脆晶和/或薄晶處理
3. 新製程:高銀比環氧劃膠 (High Silver Epoxy)/錫膏(Solder Paste)VS燒結膏 (Sintering)/薄膜 (Film Handling)
4. 焊線製程:需要處理線徑範圍更大 (3 - 25 mil)
5. 溫度控制及配備更佳的空洞控制(void control)
6. 還有更多 ……。

為了打破這些挑戰,製造商必須與物料及設備供應商合作,實現低損耗、低電感、高功率密度、高散熱性能、高集成度和多功能開發的功率器件模組及封裝製程。經驗豐富的高階設備供應商—ASM先進太平洋有限公司,掌握各方面的製程知識,從科研、產品及製程開發到售後服務,ASM先進太平洋都能提供一站式的功率半導體器件解決方案,從而節省客戶的開發時間和成本。

未來,半導體產業仍充滿著不同的挑戰和機遇,ASM先進太平洋會繼續利用多年累積的經驗及其獨有的一站式解決方案,加深與客戶的合作關係,開拓數位化世界。