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英飛凌靜態切換應用擴展600V CoolMOS S7系列MOSFET產品

  • 賴品如台北

英飛凌針對靜態切換應用擴展600V CoolMOS S7系列MOSFET產品。

以低頻切換 MOSFET 的應用中,高功率產品設計必須符合幾個關鍵特性:包括減少導通損耗、提供最佳熱行為,實現小體積輕量化系統,並且保持經濟成本的最高品質。

為符合上述需求,英飛凌科技針對靜態切換應用,在600V CoolMOS S7系列中新增兩款最佳化裝置,分別是工業級CoolMOS S7 10mΩ以及車規級CoolMOS S7A。CoolMOS S7 10mΩ具有極小的600V超接面MOSFET導通電阻(RDS(on)),適用於現有固態繼電器(SSR)等對最小傳導耗損要求極為嚴格的應用領域。

相較之下,車規級CoolMOS S7A可滿足固態斷路器(SSCB)和二極體並聯/替換所設定的系統效能要求,適用於高電壓(HV)eFUSE、HV eDisconnect電池斷路開關以及車載充電器等高功率/效能設計的汽車應用。

此系列產品係基於知名CoolMOS 7技術平台最佳化所獲得的開發成果。特別針對靜態切換和大電流應用,強化裝置效能。因此,新裝置不僅符合最高品質標準,並擁有最佳性價比,同時注重傳導效能、能源效率、功率密度及改善熱阻等特性。

CoolMOS S7 10mΩ和CoolMOS S7A晶片具備同級產品中最小的RDS(on),最實惠的單位面積RDS(on)價格(RDS(on)xAxcost)。此外,產品採用創新的頂層冷卻(TSC)QDPAK SMD封裝,具有絕佳的熱行為,可取代THD裝置(如TO-247)並且更省空間。

以QDPAK的表面黏著裝置代替THD,佔高可減少94%,進而可增加功率密度。利用CoolMOS S7 10 mΩ和CoolMOS S7A的低導通損耗特性,可縮小散熱器尺寸達80%,在外型尺寸不變的前提下,可提高額定電流和電壓值。