宜特IC電路修補能力突破5奈米製程

路徑追蹤示意圖，假設此先進製程為9M+AP，從晶片正面(Front side)施工M4，需要穿過6層金屬層(Metal：AP~M5)難度高；宜特FIB電路修補實驗室改由晶背(Back side)方向，僅需穿過Active Area(AA)層，並簡化內容在M1施工，大幅提升先進製程電路修補的成功率。宜特

隨半導體產業朝更先進製程發展之際，宜特電路修補技術(IC Circuit Edit)檢測技術再突破，宜特通過客戶肯定，IC晶片FIB電路修補技術達5奈米(nm)製程。這是從2018年首度完成7奈米(nm)製程的樣品後，再次挑戰更先進製程的電路修補，並成功的完成挑戰，協助客戶進行晶片效能優化，加速產品上市。

宜特針對IC設計業者為何須進行電路修補進行說明。先進製程的開發成本越趨昂貴、晶圓產能短缺交期更長，即使電路模擬軟體(如EDA工具)的輔助設計不斷提升，仍無法確保晶片成品能百分之百達到設計目標，一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版。

然而光罩價格不斐，且重新下光罩後，等待修改過後的晶片時間通常超過一個月，因此，多數IC設計業者，會選擇IC電路修補，只需幾個小時內即可完成修改，確保電路設計符合預期，並降低時間及金錢的成本耗損。

宜特進一步說明，電路修改最常使用的工具為FIB(Focus Ion Beam)聚焦離子束電子顯微鏡，是利用鎵(GA+)離子源透過電場牽引成離子束，高速碰撞樣品表面產生二次離、電子收集後成像。

而離子轟擊過程中利用注入不同氣體，對晶片上各種材料進行選擇性地加速或減緩蝕刻，以及沉積導電和介電絕緣材料，達到修改電路的目的，搭配CAD導航系統輔助，準確的定位目標，提高電路修補精準度。

宜特科技執行FIB電路修補的民營實驗室，翻轉IC設計業以往的驗證模式，大幅縮短IC設計公司從概念設計到量產上市時間並節省研發經費，宜特目前的電路修補技術不僅可完成5nm晶背電路修補外，2021年更引進的最新設備，其影像解析度更由4.5nm提升至3.5nm，提高深層、微小線徑及複雜電路修補的成功率，並且其介電材料有更高的電阻率(1E15 uΩ-cm)，絕緣效果更加強化，挑戰更先進製程。