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美光透過關鍵合作夥伴 引領記憶體業界前行

  • 張丹鳳台北

無論是大到資料中心,還是小到手持行動裝置,美光所製造的記憶體與快閃記憶體無所不在,為全人類的生活持續加分。美光

Micron Technology Inc.美光科技公司,於記憶體(DRAM)以及快閃記憶體(NAND)的設計與生產製造擁有不容置喙的優勢,自1978年成立以來就是如此。對於資訊產業有著深刻理解與長遠觀察的人們,或許能夠回想到美光也曾經利用自家優勢,短暫地進入顯示卡市場。

正是這股眼光長遠的洞察力,以及持續不斷的技術創新,更與生態系合作夥伴緊密的結合,讓美光在數十年的市場競合之中延續下來,如今已儼然成為記憶體與儲存業界的強力支柱。面對疫情環伺的現在,以及資料移動需求大增的未來,美光亦展現出專業、嚴謹的態度,應對任何一項艱難的挑戰。

由該趨勢圖顯示出DDR4記憶體頻寬的成長幅度已無法追上處理器核心數量暴漲的腳步,急需下一世代DDR5緩解系統記憶體頻寬需求。美光

美光推出3D堆疊176層快閃記憶體,其介面速率最高可達1600MT/s,獲得許多最新一代的PCIe Gen 4 SSD採用。美光

資料傳輸能力撐起強大運算能量

x86平台處理器核心數量於近年快速翻倍成長,AMD透過小晶片(chiplet)封裝,於第一代EPYC處理器即擁有最高32個核心,第二代EPYC之後則翻倍來到64個。

競爭對手Intel目前最新的第三代Xeon Scalable處理器,雖然仍舊以單一晶粒(monolithic)享有較短的核心間延遲優勢,但是下一世代代號「Sapphire Rapids」的處理器,亦將結合自家EMIB封裝技術,單一封裝納入多個晶片塊(tile),讓核心數量大幅度成長。

核心數量的成長對於當代DDR4系統記憶體效能造成壓力,業界寄望能夠大幅度增加系統記憶體頻寬的DDR5,美光於2020年初即向合作夥伴送樣,JEDEC目前已制定至6400MT/s規格,不僅帳面速度是DDR4標準的2倍,由於多項新技術的引進與改良,相同速度的DDR5與DDR4相比,有效頻寬更能夠成長3成以上(美光內部評估資料)。近日先行開賣的消費級DDR5-4800記憶體模組,即是採用美光所製造的DDR5顆粒。

近年來DDR4記憶體頻寬的成長幅度已無法追上處理器核心數量暴漲的腳步,急需下一世代DDR5緩解系統記憶體頻寬需求,美光為此已於2020年初向合作夥伴提供樣品測試。

機器學習、人工智慧演算法需要大量的資料吞吐速率,不少FPGA、GPU等加速器亦透過矽中介層(interposer)與HBM記憶體一同封裝,但對於價格敏感的消費市場較難如法炮製。

NVIDIA近期推出GeForce RTX 3080以上的娛樂用顯示卡,即採用雙方深入合作的GDDR6X記憶體,成為記憶體業界先行導入PAM4訊號傳輸技術的首例,單一週期傳輸量達GDDR6的2倍,成為美光與合作夥伴緊密合作的佳話。

放眼未來、搶佔先機

美光記憶體近期更領先同業進入1α製程(20奈米節點製程以下的第四個版本,前三個分別為1x、1y、1z),採用SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning)製程技術縮減特徵尺寸,打造更高密度的記憶體,不僅相較前一世代1z提升40%儲存密度,採用1α製程的行動版記憶體,其省電性亦高出1z製程達15%

快閃記憶體進入3D堆疊時代,堆疊層數越多,表示單位面積利用率越高、存取效能亦連帶提升。美光不僅於3D堆疊記憶體,將原先分布於儲存單元之外的週邊電路,採用CuA(CMOS-under-Array)放置於下方,進一步縮減晶片面積,近期更推出業界首款堆疊176層的快閃記憶體,採用以氮化矽捕捉電荷作為儲存單元,結構同步變更為金屬閘極。

最高1,600MT/s的介面速度,深獲最新一代PCIe Gen4 SSD採用,美光業已推出搭配自家控制器的用戶端與消費市場產品,資料中心產品亦將於今年下半年推出。

美光領先業界推出3D堆疊176層快閃記憶體,其介面速率最高可達1,600MT/s,獲得許多最新一代的PCIe Gen 4 SSD採用。

美光不僅長久耕耘領先業界的記憶體、快閃記憶體技術,並與生態系合作夥伴保持密切的關係,對外更施行全球戰略收購策略,深化內在實力;如2015年收購Tidal Systems,獲取SSD控制器資源,2016年收購先前與南亞科合資的華亞科,讓台灣成為全球記憶體生產的重要基地之一。詳情請參考代理青雲國際官網。(文中所示其他品牌為其所有權人所有,未來展望基於標準規範所推估,您的最終結果可能有所不同。)