英飛凌全新 單通道閘極驅動器系列 智慧應用 影音
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英飛凌全新 單通道閘極驅動器系列

  • 賴品如台北

英飛凌1EDN71x6G版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式,無須閘極電阻,即可將波形和切換速度最佳化。
英飛凌1EDN71x6G版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式,無須閘極電阻,即可將波形和切換速度最佳化。

極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵(GaN)開關的關鍵要求。英飛凌科技根據其戰略性設計的GaN產品系列,不斷加強全系統解決方案,推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極(SG)HEMT的效能,但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用,包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及D類音訊放大器等。

1EDN71x6G版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式,無須閘極電阻,即可將波形和切換速度最佳化。因此,得以縮小功率級配置與減少BOM元件。最強大/最快速的驅動版本(1EDN7116G)適用於含有大量並聯的半橋式配置;最微弱/最慢速的驅動版本(1EDN7146G)可用於部分dv/dt 受限的應用,如馬達驅動器或極小的GaN(高 RDS(on)、低 Qg) HEMT。每個版本的遮沒時間各自不同,會與建議的最短停滯時間、最小脈衝寬度和傳播延遲成正比。

真正的差分邏輯輸入(TDI)功能可消除低側應用中因接地彈跳而造成的錯誤觸發風險,且可使1EDN71x6G處理高階應用。此外,所有版本皆具有主動米勒鉗制功能以及極強的下拉功能,可避免感應導通。這可為避免閘極驅動迴路中發生干擾提供額外的穩固性,特別是在驅動具有高米勒比的電晶體時。

此外,1EDN71x6G還提供主動靴帶式鉗制,以免靴帶式電容器在停滯時間期間過度充電。這可提供靴帶式電源電壓調節,能保護高側電晶體閘極,無須額外的調節電路。如有需要(如在無法完全將PCB配置最佳化的情況下),還可提供含有可調式負關斷電源的選配可程式設計電荷泵,藉以取得額外的米勒感應導通抗性。

極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵(GaN)開關的關鍵要求。英飛凌科技根據其戰略性設計的GaN產品系列,不斷加強全系統解決方案,推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極(SG)HEMT的效能,但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用,包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及D類音訊放大器等。

1EDN71x6G 版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式,無須閘極電阻,即可將波形和切換速度最佳化。因此,得以縮小功率級配置與減少BOM元件。最強大/最快速的驅動版本(1EDN7116G)適用於含有大量並聯的半橋式配置;最微弱/最慢速的驅動版本(1EDN7146G)可用於部分dv/dt受限的應用,如馬達驅動器或極小的GaN(高 RDS(on)、低 Qg)HEMT。每個版本的遮沒時間各自不同,會與建議的最短停滯時間、最小脈衝寬度和傳播延遲成正比。

真正的差分邏輯輸入(TDI)功能可消除低側應用中因接地彈跳而造成的錯誤觸發風險,且可使1EDN71x6G處理高階應用。此外,所有版本皆具有主動米勒鉗制功能以及極強的下拉功能,可避免感應導通。這可為避免閘極驅動迴路中發生干擾提供額外的穩固性,特別是在驅動具有高米勒比的電晶體時。

此外,1EDN71x6G還提供主動靴帶式鉗制,以免靴帶式電容器在停滯時間期間過度充電。這可提供靴帶式電源電壓調節,能保護高側電晶體閘極,無須額外的調節電路。如有需要(如在無法完全將PCB 配置最佳化的情況下),還可提供含有可調式負關斷電源的選配可程式設計電荷泵,藉以取得額外的米勒感應導通抗性。

極小化研發工作和成本、耐用且高效的運行是現代電力電子系統對於中壓氮化鎵(GaN)開關的關鍵要求。英飛凌科技根據其戰略性設計的GaN產品系列,不斷加強全系統解決方案,推出EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極(SG)HEMT的效能,但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用,包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及D類音訊放大器等。

1EDN71x6G 版本配備可選擇拉高與拉低驅動方式,無須閘極電阻,即可將波形和切換速度最佳化。因此,得以縮小功率級配置與減少 BOM 元件。最強大/最快速的驅動版本(1EDN7116G)適用於含有大量並聯的半橋式配置;最微弱/最慢速的驅動版本(1EDN7146G)可用於部分dv/dt受限的應用,如馬達驅動器或極小的GaN(高 RDS(on)、低 Qg)HEMT。每個版本的遮沒時間各自不同,會與建議的最短停滯時間、最小脈衝寬度和傳播延遲成正比。

真正的差分邏輯輸入(TDI)功能可消除低側應用中因接地彈跳而造成的錯誤觸發風險,且可使1EDN71x6G處理高階應用。此外,所有版本皆具有主動米勒鉗制功能以及極強的下拉功能,可避免感應導通。這可為避免閘極驅動迴路中發生干擾提供額外的穩固性,特別是在驅動具有高米勒比的電晶體時。

此外,1EDN71x6G還提供主動靴帶式鉗制,以免靴帶式電容器在停滯時間期間過度充電。這可提供靴帶式電源電壓調節,能保護高側電晶體閘極,無須額外的調節電路。如有需要(如在無法完全將PCB配置最佳化的情況下),還可提供含有可調式負關斷電源的選配可程式設計電荷泵,藉以取得額外的米勒感應導通抗性。



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