基礎功率元件小兵立大功 下一步SiC混合式IGBT崛起? 智慧應用 影音
DFORUM
ST Microsite

基礎功率元件小兵立大功 下一步SiC混合式IGBT崛起?

  • 何致中評析

基礎矽(Si)基功率元件如二極體、金氧半場效電晶體(MOSFET)等,向來在上游晶圓代工廠中排序較為落後,目前業界熱議的基礎IC如電源管理晶片(PM-IC)、微控制器(MCU)等,大多是8吋廠投片主力,MOSFET則投片8吋廠,輔以部分6吋廠,二極體則以...

會員登入


【範例:user@company.com】

忘記密碼 | 重寄啟用信
記住帳號密碼
★ 若您是第一次使用會員資料庫,請先點選
【帳號啟用】

會員服務申請/試用

申請專線:
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
會員信箱:
member@digitimes.com
(一個工作日內將回覆您的來信)

關鍵字