在中國建廠量產還申請專利 三星前高管外洩DRAM技術總值達32億美元 智慧應用 影音
DForum1025
EVmember

在中國建廠量產還申請專利 三星前高管外洩DRAM技術總值達32億美元

  • 江承諭綜合報導

三星電子(Samsung Electronics)前高管崔珍奭日前因將DRAM製程技術資料外流至中國,再度遭到法院下令羈押,且進一步牽涉30多名研究人員。據調查外流技術價值達4.3兆韓元(約32億美元),且涉案人士持續在中國申請相關專利。

會員登入


【範例:user@company.com】

忘記密碼 | 重寄啟用信
記住帳號密碼
★ 若您是第一次使用會員資料庫,請先點選
【帳號啟用】

會員服務申請/試用

申請專線:
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
會員信箱:
member@digitimes.com
(一個工作日內將回覆您的來信)