第三代半導體材料IDM廠喊衝 高性能、高功率鎖定車載、伺服器商機
- 何致中／台北
碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導體因其「寬能隙」特性，被視為是半導體業界看好具有發展潛力的第三代半導體材料。由於成本、價格相對高昂，儘管其性能與傳統矽材料有明顯差距，一般認為市場接受度上還有待時間醞釀，然而，國際IDM大廠包括意法半導體(STM)...
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