高功率密度成IDM龍頭依歸 英飛凌Si、SiC、GaN材料元件全數到齊
- 何致中／台北
隨著歐洲各國政府推動新能源車的腳步已經納入政策範疇，各類功率半導體需求持續竄出，追求更佳的功率密度成為全球一線IDM大廠指標，也因此，被視為是第三代半導體材料的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)越來越受到市場注意。不過由於產業尚在起步階段，台系功率半導體業者直...
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