ReRAM積極擴張版圖 鎖定AI應用伺機取代DRAM
- 梁燕蕙／綜合報導
可變電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)業已研發多年，一度曾經被視為是NAND Flash之替代方案。然而，有鑑於NAND在三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等業者努力下，遠比先前所預期的更進一步向下微縮、提高堆疊層數，也...
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