意法半導體推出全新MDmesh MOSFET 提升功率密度與效能

意法半導體推出全新MDmesh MOSFET，提升功率密度與效能。意法半導體

服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心伺服器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器(Switched-Mode Power Supply；SMPS)。

650V STP65N045M9與600V STP60N043DM9為首批上市的兩款元件，其單位面積的導通電阻(R_DS(on))非常低，可以最大限度提升功率密度，並有助於縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(R_DS(on)max)皆領先同類產品，STP65N045M9為45mΩ，STP60N043DM9則為43mΩ。由於閘極電荷(Q_g)十分低，在400V汲極電壓時的典型值為80nC，兩款元件皆擁有目前市面上一流的R_DS(on)max x Q_g品質因數(FoM)。

STP65N045M9的閘極閾開啟電壓(V_GS(th))典型值為3.7V，STP60N043DM9的典型值則為4.0V，相較上一代的MDmesh M5和M6／DM6，可最大限度地降低開關損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復電荷(Q_rr)和反向恢復時間(t_rr)亦極低，有助於進一步提升效能和開關效能。

意法半導體最新高壓MDmesh技術另一特點是增加鉑擴散製程，確保體反應速度快的寄生二極體。該二極體恢復曲線(dv／DT)峰值高於早期製造技術。MDmesh DM9全系列產品皆具非常高的穩定性，在400V電壓時可耐高達120V／ns的dv／dt曲線。

意法半導體新MDmesh M9和DM9產品STP65N045M9和STP60N043DM9均採用TO-220功率封裝，現已量產，2022年第2季末將由代理商銷售。2022年底前還將增加標準貼裝和通孔封裝。更多資訊，請造訪：www.st.com/mdmesh-m9與www.st.com/mdmesh-dm9。