美商睿創Revasum推出全自動碳化矽拋光機

美商睿創Revasum推出全自動碳化矽拋光機

被視為第三代材料的碳化矽(SiC)，氮化鎵(GaN)等化合物半導體，尤其是SiC絕緣破壞電場強度為矽材料的10倍，能隙為矽的3倍，也被稱為「寬能隙」材料。隨著全球5G產業的蓬勃發展，車用電子的大量應用，再加上電動車快速充電的廣泛需求，SiC或是GaN材料能提升「功率密度」， 亦即在越小體積發揮越大功率，也可耐高溫耐壓(650V, 1200V…)，有望用於伺服器電源、5G基地台、電動車充電站等高輸出設備，第三代材料等相關應用已被視為下一個明星產業。

然而這些材料如碳化矽的長晶，生產加工與生產技術等，遠比一般矽晶圓的製造更具挑戰性。傳統的SiC晶片生產流程，從線切割或雷射切片開始，需要歷經清洗、預分選、批量粗磨；二次清洗、再次分選、批量研磨；再清洗、再分選、批量拋光、清洗等，整個生產線需要投入許多清洗，研磨及拋光設備。而在操作過程中也有許多風險，例如溼滑的晶片傳送，頻繁的人員介入，尤其是在批量研磨或拋光過程中，只要有一個意外，整批的SiC晶片就會被波及，最糟的狀況可能要整批報廢。

有鑑於此美商睿創(Revasum, Inc.)本著20年以上的研磨及拋光技術，推出7AF-HMG全自動單片研磨機和6EZ全自動單片拋光機，以最先進的SiC專用全自動設備，完成高品質高良率的SiC研磨拋光製程，為SiC(碳化矽)生產業者提供最佳的解決方案。

7AF-HMG (Hard material Grinder)是專門為硬脆材料設計的研磨機，可研磨最具挑戰性的材料如藍寶石和碳化矽等。它可以全自動研磨2吋到8吋等不同直徑的晶片，同時可依應用設定做單面研磨(背面減薄)或自動翻面做兩面研磨(切片後雙面平坦化)。7AF-HMG配置有厚度探針即時監測研磨厚度，研磨主軸有兩組，可依製程要求搭配最佳組合的粗或細砂輪，以達到客戶要求的研磨後表面粗糙度。7AF-HMG的先進設計對於碳化矽有極佳的研磨效果，而且研磨後的底層缺陷能達到最淺。

美商睿創於2019年10月2號正式推出全世界第一台全自動單片式拋光機6EZ，這款拋光機無需上蠟且乾進乾出，可支持6吋和8吋的碳化矽晶片。此機台配備三個拋光檯面，每個檯面搭配專用拋光頭、拋光墊修整器和拋光墊沖洗器，在整個拋光過程中，晶片都保持在濕潤的狀態下以避免拋光液在晶片表面乾燥，直到最終清洗後以乾淨的狀態傳回晶片盒。

6EZ最多可以連續一次拋光和清潔50片SiC的正反兩面，全自動依設定參數運作，過程中無需操作人員的介入。6EZ單片式拋光機使SiC的拋光製程從傳統的繁雜手法，演變成單機一道的程序，真正讓SiC的拋光變得容易(EZ)。

美商睿創的SiC磨拋解決方案結合了7AF-HMG研磨機和6EZ拋光機，此方案可以大量精簡從切片到EPI前清洗的整個生產流程，預估可減少60%的設備投入，同時因為生產效率和良率的提升，每片晶圓的生產成本也因此得到合理的降低。

美商睿創(Revasum, Inc.)是位於美國加州的設備製造商，為深耕亞太市場已於2018年設立台灣分公司。數十年來美商睿創集中資源專注於半導體生產設備的設計和製造，7AF-HMG研磨機和6EZ拋光機就是運用本公司在化學機械研磨(CMP)專業上的豐富經驗，與客戶緊密合作，共同開發設計，以符合特殊半導體材料如SiC、藍寶石、氮化鎵的量產加工需求。