半導體材料新一代拳王登場 看GaN如何大顯身手！

從2010年發展至今，氮化鎵(GaN)以其寬能隙的技術特性，展現高功率、高電壓、散熱佳等優點，在消費性裝置的快速充電器大有斬獲，未來更將擴展汽車、工業等領域，大有成為半導體材料新一代拳王的態勢！

為了更深入GaN的最新應用與趨勢，DIGITIMES日前在線上舉行D Webinar 2021新興科技論壇，以「半導體產業新一代拳王GaN」為題，邀請國立臺灣大學電機工程學系副教授陳景然及國立宜蘭大學電機工程學系副教授劉宇晨、穩懋半導體技術行銷處資深協理黃智文、宏汭精測科技總經理暨品勛科技技術顧問林明正等多位專家發表演講。

隨著電源轉換器走向高頻化及小型化，寬能隙元件所扮演的角色愈來愈重要，陳景然表示，GaN可以說是改變電源轉換器遊戲規則的重要元件，劉宇晨也強調，GaN在高頻、高轉換效率、高溫差等方面優勢很能發揮優勢，但未來應從系統層面進行優化設計。

黃智文強調，化合物半導體的應用領域愈來愈廣，但不存在有取代傳統矽半導體的問題，因為各自都有優勢與市場區隔，其中GaN等第三類半導體材料可滿足後5G時代更多影音、資料的傳輸及更廣泛的覆蓋範圍。

林明正則強調，GaN的動態量測是其邁向廣泛應用的重要一環，可以彌補傳統靜態量測的不足，透過在元件操作狀態下執行GaN動態參數特性測試，可讓開發者改善元件，並協助使用者正確評估元件的功率損耗及老化速率。