EPC擴大40 V eGaN FET的產品陣容

EPC擴大40V eGaN FET的產品陳容，新產品是高功率密度電信、網通和計算解決方案的理想元件。宜普電源轉換公司

EPC推出40V、1.6mΩ的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，型號EPC2069，專為設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的元件更小、更高效、更可靠，適用於高效能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)新推出EPC2069(典型值爲1.6mΩ、40V)是更高效能的低壓元件，可立即供貨。

EPC2069非常適合需要高功率密度的應用，包括48V~54V輸入伺服器。較低的閘極電荷和零反向恢復損耗可實現1MHz及更高頻率的高頻操作、高效並在10.6mm²的微小佔板面積內，實現高功率密度。

EPC2069元件可支持48V/12V DC/DC解決方案，範圍從500W到2kW，效率超過98%。在初級側和次級側使用氮化鎵(eGaN)元件可實現超過4,000W/in³的最大功率密度。

EPC公司執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示，EPC2069元件專為從40V~60V轉至12V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計，目前非常普遍用於48V~54V輸入的伺服器，以應對人工智慧和遊戲等高密度計算應用所需。與上一代40V GaN FET相比，這款40V元件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設計師實現更高的效能和成本效益。

EPC90139開發板的最大元件電壓為40V、最大輸出電流為40A，配備板載閘極驅動器的半橋元件，採用了EPC2069 eGaN FET。這款2吋x2吋(50.8mmx50.8mm)的電路板專為實現最佳開關效能而設計，包含所有關鍵組件，讓工程師易於評估EPC2069。

一個2,500顆的卷盤的EPC2069單價爲2.73美元，EPC90139開發板的單價爲123.75美元，均可從Digi-Key購買。

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理元件供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及IC的效能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍，其目標應用包括直流-直流轉換器、光達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。

此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。