英飛凌推出全新OptiMOS源極底置功率MOSFET

高功率密度、出色的效能和易用性是當前電源系統設計的關鍵要求。為此，英飛凌科技推出了新一代OptiMOS源極底置(Source-Down，簡稱SD)功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。新款功率MOSFET採用PQFN封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm²，支援從25 V到100 V的寬電壓範圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業內領先的熱效能指標，並降低BOM成本，在功率MOSFET的效能方面樹立了新的業界標竿。該元件的應用領域十分廣泛，涵蓋馬達驅動，適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS，以及電池管理系統等。

與傳統的漏極底置(Drain-Down)封裝相比，最新的源極底置封裝技術能夠讓元件的外形尺寸接近於裸晶片。此外，這種創新封裝技術還能降低損耗，進一步增強元件的整體效能。相較於最先進的漏極底置封裝，採用源極底置封裝可使R_DS(on)降低30%。這一技術創新能夠為系統設計帶來的主要優勢包括：縮小外形尺寸，從SuperSO8 5 x 6 mm²封裝轉變到PQFN 3.3 x 3.3 mm²封裝，可減少約65%的佔板空間，讓可用空間得到更有效的利用，從而提高終端系統的功率密度和系統效率。

此外，在源極底置封裝中，熱量透過導熱墊傳遞到PCB上，而非透過銲線或銅夾，以此來改善散熱效果。這也使得結殼熱阻(R_thJC)從1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超過20%，從而能夠實現優異的熱效能。英英飛凌提供兩種不同的尺寸版本和配置選項：SD標準閘極和SD中央閘極。在標準閘極配置中，電氣連接的位置保持不變，方便將標準的漏極底置封裝簡單直接地替換成新的源極底置封裝；而在中央閘極配置封裝中，閘極引腳被移到中心位置以便於多個MOSFET並聯。這兩種型號都能夠優化PCB配置，使得寄生效應降低，PCB損耗改進，且易於使用。