宜特因應5奈米　全新去層方式避免Die損壞

宜特全新開發晶片去層手法，針對過小封裝體樣品，利用簡單三步驟，完整提出電路圖。

為了協助客戶做好專利迴避、完整提出該層電路圖找異常點(Defect)，宜特推出全新晶片去層技術，將樣品如魔術般放大，直接在晶片封裝還存在的情況下進行去層工程，不僅可以大幅提升工程上的良率，完整提出電路圖，還可衍生應用在合金PAD、精密IC及其他無法取Die卻需要去層的晶片樣品上。

宜特觀察發現，隨著摩爾定律，製程演進至7奈米、5奈米甚至達3奈米，晶片裏頭的die，幾乎是接近螞蟻眼睛大小，一般人眼無法辨識。因此，希望藉由一般的晶片層次去除(delayer)來完整提取die裏頭每一層的電路，難度是非常高，硬是下去進行一般層次去除(delayer)技術的後果，不只是良率偏低，更可能發生連die都去除到不見遺失的窘境。

宜特說明，以往一般的取die後去層(Delayer)的技術，會因為樣品過小等因素，導致die不見或crack而無法進行製程分析；當無法去層(Delayer)到金屬層(Metal) M1時，記憶體(memory block)僅能以推測得知，電路模組分析圖亦無法完整繪製。

宜特的全新去層技術，共分為三步驟，第一步驟，利用物理手法去除膠體，首先，在晶片封裝還存在的情況下，以物理方式去除晶片die正面多餘的膠體。相較以往須先去除package僅在裸die上去層，此法可在較大的面積/體積上施作，可大幅減少後續去層時die遺失的機率，並保持die面的平整度。

第二步驟則是機台去層，藉由離子蝕刻機，將IC護層(Passivation)與隔絕層(Oxide)，用適當參數以離子蝕刻方式，將不需要的部分移除，藉由宜特獨家的控制參數方式，使得下層金屬層(Metal)不受傷。

第三步驟，藥液去層，IC護層(Passivation)被去除後，宜特再以藥水蝕刻，蝕刻該層需去除的金屬層(Metal)，即可完整提出電路圖。