東芝推出80V N溝道功率MOSFET
- 吳冠儀／台北
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東芝推出80V N溝道功率MOSFET採用最新一代製程，可提高電源效率。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(東芝)推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。新產品為兩款封裝，一款為採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及TSON Advance封裝的TPN19008QM。
由於採用了最新一代製程技術，比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構，漏源導通電阻與閘極電荷特性之間的平衡也得到了改善。
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