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ROHM推出3.5ms高速寫入車電EEPROM

  • 陳毅斌台北

ROHM推出業界最快3.5ms高速寫入、支援125度C工作的EEPROM「BR24H-5AC系列」

半導體製造商ROHM針對車電相機/感測器出廠設定、安全氣囊彈出記錄、以及需要長時間通電的FA裝置和伺服器資料記錄系統等應用,研發出在嚴苛環境也可穩定儲存/寫入資料、且支援Inter-Integrated Circuits匯流排和125度C工作的EEPROM「BR24H-5AC系列」。

在車電和工控裝置領域,由於安全性和可追溯性的管理需求,需要將運行資料記錄在系統裡的非揮發性記憶體中。與非揮發性FLASH記憶體相比,非揮發性EEPROM記憶體在嚴苛環境下能夠更穩定地保存和寫入資料,因此,在車電和工控裝置領域,常被用於車電相機、安全氣囊、FA裝置和伺服器等對可靠性要求相對較高的應用中。

身為已有20多年EEPROM研發歷史的半導體製造商,ROHM致力於研發具獨創性且高可靠性的儲存單元,並為客戶提供高品質的產品,也在車電、工控裝置和消費性電子產品各領域獲得了高度好評。本次在支援Inter-Integrated Circuits匯流排的EEPROM中針對車電和工控裝置推出的新系列產品,將有助減少出廠前的生產工時。

本次的EEPROM系列產品是採用ROHM獨家資料寫入/讀取電路技術、不僅具備3.5ms(毫秒)的高速寫入、且支援125度C工作。與普通產品5ms的寫入速度相比,寫入時間可以減少30%。例如,在電子裝置的製造過程中,若以256Kbit將初始資料寫入(512次寫入處理)10萬台產品,工廠生產線佔用時間約可減少1天。

此外,普通產品保證的改寫次數為100萬次,而本系列產品則高達400萬次,不僅有助延長電子裝置的使用壽命,而且非常適用於必須頻繁改寫資料的記錄裝置。「BR24H-5AC系列」透過降低對儲存單元特性方面的製造差異,並充分發揮記憶體效能,採用獨家資料寫入/讀取電路技術並有助提高系統效率。

「BR24H-5AC系列」為一款支援Inter-Integrated Circuits匯流排和125度C工作的EEPROM,具備了業界最快3.5ms(毫秒)的高速寫入。與普通產品5ms的寫入速度相比,寫入時間可減少30%,因此有助減少電子裝置出廠前的初始寫入時間,並可以提高緊急資料記錄系統的可靠性。例如,在電子裝置的製造過程中,以256Kbit將初始資料寫入10萬台產品的情況下,與普通產品相比,工廠生產線佔用時間約可減少1天(普通產品:5ms×10萬台×512次=約71小時,新產品:3.5ms×10萬台×512次=約50小時)。

本次EEPROM系列產品支援125度C工作,並且具備了業界高水準的400萬次改寫次數。與普通產品100萬次的改寫次數相比,本系列產品高出4倍,不僅有助延長電子裝置的使用壽命,並且非常適用於必須頻繁改寫資料的相關應用。本系列產品為支援125度C工作的EEPROM,可支援1.7V低電壓工作,因此不僅支援一般5V和3V相關應用,還支援免鑰匙啟動系統等需要靠電池驅動的1.8V低電壓應用。

本系列產品符合汽車電子產品可靠性國際標準AEC-Q100,不僅支援高可靠性產品標準要求的125°C工作,所有系列產品均搭載了ECC(Error Check and Correction:錯誤檢查訂正)功能,在記憶體出現偶發性故障時,具有保護重要資料的作用。另外由於採用標準的EEPROM引腳配置,常用的晶片封裝和容量(研發中)產品系列也正在不斷擴充,因此將可以輕易替換現有產品。