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意法半導體推出新MasterGaN產品 目標高效能功率轉換應用

  • 賴品如台北

意法半導體推出新45W和150WMasterGaN 產品,目標高效能功率轉換應用。意法半導體
意法半導體推出新45W和150WMasterGaN 產品,目標高效能功率轉換應用。意法半導體

為降低高效能寬能隙功率技術之應用挑戰,服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體(STMicroelectronics;ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出MasterGaN3和MasterGaN5兩款整合功率系統封裝,分別針對最高45W和150W的功率轉換應用。

另外除了針對65W至400W應用的MasterGaN1MasterGaN2MasterGaN4,這兩款新加入的產品為設計開關式電源、充電器、轉連接器、高壓功率因數校正(Power-Factor Correction;PFC)和DC/DC轉換器的工程師選擇最佳的氮化鎵(GaN)元件和驅動解決方案提供了更多的彈性。

意法半導體的MasterGaN概念簡化了GaN寬能隙功率技術替代普通矽基MOSFET的移轉程序。新產品整合兩個650V功率電晶體與優化之高壓閘極驅動器,以及相關的安全保護電路,消弭了閘極驅動器和電路布局的設計挑戰。

由於GaN電晶體提供更高的開關頻率,相較於基於矽的設計,新的整合功率系統封裝可使電源尺寸縮小了高達80%,並且具備很高的穩定性和可靠性。MasterGaN3兩個GaN功率電晶體的導通電阻值(Rds(on))不相等,分別為225mΩ和450mΩ,使其適用於軟開關和有源整流轉換器。在MasterGaN5中,兩個電晶體的導通電阻值(Rds(on))皆為450mΩ,適用於LLC諧振和有源鉗位反激轉換器等拓撲。與MasterGaN產品家族的其他成員相似,這兩款元件均相容3.3V至15V邏輯訊號的輸入,進而簡化了產品本身與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器,以及霍爾感測器等外部裝置的連線。

新產品亦整合了安全保護功能,包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、閘極驅動器互鎖、過熱保護和關斷腳位。每款MasterGaN產品都有一個配套的專用原型開發板,協助設計人員快速啟動新電源專案。

EVALMASTERGAN3EVALMASTERGAN5開發板皆包含一個單端或互補驅動訊號產生器電路。板載一個可調的死區時脈產生器,以及相關的裝置介面,便於使用者採用不同的輸入訊號或 PWM 訊號,連線一個外部自舉二極體來改善容性負載,為峰流式拓撲插入一個低邊檢流電阻。

MasterGaN3和MasterGaN5現已量產,其採用針對高壓應用而優化的9mmx9mm GQFN封裝,高低壓焊盤間爬電距則離為2mm。欲了解更多產品資訊,請造訪產品官網