Transphorm推出參考設計組合 加快USB-C PD氮化鎵電
- 賴品如／台北
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高可靠性、高效能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm宣布推出七款參考設計，旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式架構設計選項，涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)。
段標 : SuperGaN技術的差異化優勢
電源配接器參考設計採用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和效能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵元件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵元件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，並在50%和100%(全)功率下擁有更高的效能。
電源配接器參考設計
Transphorm的參考設計組合包括五款開放架構的USB-C PD參考設計，頻率範圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W主動鉗位反馳模式(ACF)參考設計，執行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。(1x)45W配接器參考設計採用準諧振反馳模式(QRF)拓撲結構，可提供24 W/in3的功率密度；(3x) 65W配接器參考設計採用ACF或QRF拓撲結構，可提供30 W/in3的功率密度；(1x)100W配接器參考設計採用功率因數校正(PFC)+QRF拓撲結構，可提供18 W/in3的 功率密度。
Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放架構的USB-C PD/PPS參考設計，頻率範圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實現了超過93.5%的峰值效率。(1x)65W配接器參考設計採用ACF拓撲結構，可提供29 W/in3的功率密度；(1x)140W配接器參考設計採用PFC+ACF拓撲結構，可提供20 W/in3的功率密度。
Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：「Transphorm獨具優勢，可提供唯一能適用於廣泛應用的、涵蓋眾多功率水準的氮化鎵FET組合。我們的電源配接器參考設計凸顯出我們的低 功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO-220元件，可以極大地簡化設計。這些優勢以及其他特點有助於客戶快速、輕鬆地在 市場上推出具有突破性功率效率水準的氮化鎵解決方案。這正是Transphorm氮化鎵元件的價值所在。」
