TI 於2022 COMPUTEX論壇暢談GaN 技術如何推升資料中心效率

德州儀器副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮於2022 COMPUTEX Taipei論壇中以「資料中心正在擴建 – 以氮化鎵(GaN)技術實現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵(GaN)技術為資料中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案，進而在現有的資料中心實現最大效率。德州儀器

隨著台灣和世界各地資料中心快速增加，使得供電效率的需求隨之上升。德州儀器副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮5月26日於台北南港展覽館 1 館所舉辦的2022 COMPUTEX Taipei論壇中以「資料中心正在擴建 – 以氮化鎵(GaN)技術實現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵(GaN)技術為資料中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案，進而在現有的資料中心實現最大效率。

李原榮表示，「隨著各產業領導者期盼透過資料中心實現技術創新，從而也提高了運算能力的需求，我們希望協助客戶充分發揮氮化鎵(GaN)技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。多年來，我們一直致力於支援台灣和全球客戶在不同應用領域中迅速發展。」

李原榮補充，「TI 的自有產能和長期投資使我們能夠快速擴展氮化鎵(GaN)等各項技術，以協助客戶透過實現更小的系統來滿足不斷增長的市場需求，進而以更高的效率處理更多數據。」

面對擴建資料中心的有限空間和伺服器持續運行所需的大量電力，企業必須不斷提高資料中心的用電效率及功率密度。

TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切換驅動器，以及內部保護與溫度感測功能，可在有限的電路板空間中具有更高效能表現，實現業界領先的功率密度(100W/in³⁾。而TI的C2000即時微控制器提供複雜並具時效性的處理能力、精確控制、軟體和周邊產品可擴充性等，透過支援不同電源設計與高切換頻率的特性，能充分發揮GaN型電源解決方案潛能，從而最大限度地提高電源效率。關於TI GaN 技術，邀請您至TI線上資源查詢了解。