電源產業彎道超車 學者：台廠不應單打獨鬥
- 莊衍松／台北
中國2021年發布「十四五規劃」和「2035年遠景目標綱要」，確定加速推動以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體新材料新技術產業化進程，催生一批高速成長的新材料企業。中國廠商認為第三代半導體材料或許是中國擺脫IC被動局面、實現彎道超車的機會。據...
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