STT-MRAM新技術 線寬3分之1、記憶容量100倍 智慧應用 影音
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STT-MRAM新技術 線寬3分之1、記憶容量100倍

  • 范仁志綜合報導

被視為次世代記憶體技術之一的STT-MRAM技術,又有新突破,日本東北大學(Tohoku University)電信通信研究所的大野英男教授團隊,在2018年2月14日公布提高STT-MRAM的新技術,可將記憶容量提升到現有DRAM的10倍、既有STT...

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