汎銓科技發布低損傷EUV光阻材料分析技術
- 鄭斐文／台北
-
由a到c為EUV PR截面TEM影像。隨著不同蝕刻條件，EUV PR的狀況都能清楚且幾近無損傷的呈現出來。
汎銓科技專注於半導體先進製程的材料分析、故障分析領域，近期發布發展出損傷EUV PR材料分析技術。目前半導體製程已進到7奈米之後，然而極紫外光(EUV)光刻微影技術是5奈米、3奈米製程繼續前進的關鍵技術，極紫外光光阻(EUV PR) 是一種非常脆弱且對溫度相當敏感，在先進製程中不可或缺的重要材料之一；一般光阻材料分析(TEM & SEM)過程都會造成結構變形與損傷。
為避免分析時造成光阻材料結構變形與損傷，汎銓科技開發出低損傷EUV PR材料分析技術，以提供最精準的數據，讓合作夥伴在先進製程研發中持續領先。
關鍵字
