美大學運用α-硒化銦 開發類憶阻器裝置
- 茅堍/綜合外電
美國普渡大學(Purdue University)與喬治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)研究人員,運用新型鐵電(ferroelectric)材料α-硒化銦(alpha Indium Selenide),開發出具有儲存能力的電晶體以及類似憶...
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