Everspin攜手GF MRAM開發擴大到12nm
- 陳端武／綜合外電
磁阻式記憶體(MRAM)大廠Everspin於日前宣布修訂與格芯(Globalfoundries)的STT-MRAM聯合開發協議。Everspin和GF現為40nm、28nm和22nm STT-MRAM的開發和製造夥伴，進一步更新協議將在12nm FinFE...
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