三星3奈米GAA製程 MBCFET為技術亮點
- 蔡云瑄／綜合報導
三星電子(Samsung Electronics)成功量產3奈米環繞式閘極(GAA)製程，同時也成功實現奈米片(nanosheet)結構的多橋通道場效電晶體(MBCFET)技術。事實上，MBCFET已超出外界預期的奈米線(nanowire)結構，跳級成功不僅顯現...
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