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2016年韓廠記憶體資本支出將連兩年下降 DRAM 18奈米製程為發展重點

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由於全球經濟前景未明,且行動裝置市場漸趨飽和,DIGITIMES Research預估,2016年三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)合計於記憶體資本支出...

內文目錄

  • 2016年兩大韓廠記憶體合計資本支出將連兩年下滑 僅120億美元
  • 2016年三星DRAM資本支出將高於NAND Flash 重點為18奈米製程
  • 2016年SK海力士將研發DRAM 18奈米製程及布建3D NAND Flash產能
  • 2016年三星於全球記憶體廠資本支出居冠 美光投資額將超越SK海力士
  • 結語

圖表目錄

  • 2008~2016年三星與SK海力士記憶體資本支出變化及預測
  • 2008~2016年三星記憶體產品別資本支出變化及預測
  • 2009~2016年SK海力士資本支出變化及預測
  • 2008~2016年主要記憶體廠商資本支出變化及預測
  • 2016年全球主要記憶體廠商資本支出與投資重點一覽
  • 5 個圖表

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