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3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術發展關鍵課題

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DIGITIMES Research觀察,2D NAND Flash製程在物理限制下難度加劇,透過3D NAND Flash製程,無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。3D NAND Flash...

內文目錄

  • Cell結構從2D走向3D 3D NAND Flash產品應用面擴大
  • TLC Cell成技術發展主流 光罩成本為Peri製程重要考量
  • 低位元成本及高可靠度可藉製程改善及控制晶片設計實現
  • 3D NAND Flash結構有利降低製造成本、提高容量及優化性能
  • 三星在3D NAND Flash堆疊技術開發暫時領先
  • 結語

圖表目錄

  • NAND Flash的屬性及應用
  • NAND Flash晶片的基本結構
  • NAND Flash資料儲存單元的三種不同儲存架構
  • NAND Flash低位元成本及高可靠度可藉製程改善及控制晶片設計實現
  • 3D NAND Flash延伸摩爾定律在記憶體領域發展
  • NAND Flash技術發展藍圖
  • 11 個圖表

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