2017年為4位元3D NAND Flash技術元年 耐久度與傳速等課題待克服
4位元(Quadruple Level Cell;QLC) 3D NAND Flash理論上一組Cell可記錄16種儲存狀態(4bits/cell),其儲存容量較既有技術更加提升,但存在使用壽命較短、傳輸速度較慢等問題,尚待演算法設計與控制晶片等技術突破。DIGITIMES Research觀察,三星電子...
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