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Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決

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Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發,採用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在週邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減採3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)三星、東芝(Toshiba)提升其3D NAND Flash競爭力。

內文目錄

  • Cell on Peri構造有利採3D NAND Flash解決方案縮減晶片面積
  • Cell on Peri有助IDM提升競爭力 然存在良率與成本等問題
  • Cell on Peri構造將使CMP製程重要性提高 相關設備由美日商居領導地位
  • 結語

圖表目錄

  • 美光與英特爾陣營於3D NAND Flash所開發的Cell on Peri構造
  • Cell on Peri構造有利採3D NAND Flash解決方案縮減晶片面積示意圖
  • 三星提出將3D記憶體陣列堆疊於週邊電路上的Cell Over Peri方案
  • 3D NAND Flash引進Cell on Peri構造所需化學機械研磨製程示意圖
  • 7 個圖表

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